Diodo
Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la
circulación de la corriente
eléctrica a través de él en un
solo sentido. Este término generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el más
común en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales eléctricos.
El diodo de vacío (que actualmente ya no se usa, excepto
para tecnologías de alta potencia) es un tubo
de vacío con dos electrodos: una lámina como ánodo, y un cátodo.
Los
primeros diodos eran válvulas o tubos de vacío, también llamados válvulas termoiónicas constituidos por dos electrodos rodeados de vacío en un
tubo de cristal, con un aspecto similar al de las lámparas incandescentes. El invento
fue desarrollado en 1904 por John
Ambrose Fleming, empleado de la empresa Marconi, basándose en observaciones
realizadas por Thomas Alva Edison.
Al
igual que las lámparas incandescentes, los tubos de vacío tienen un filamento (el cátodo)
a través del cual circula la corriente, calentándolo por efecto Joule. El filamento está
tratado con óxido de bario, de
modo que al calentarse emite electrones al vacío circundante los cuales son
conducidos electrostáticamente hacia una placa, curvada por un muelle
doble, cargada positivamente (el ánodo),
produciéndose así la conducción. Evidentemente, si el cátodo no se calienta, no
podrá ceder electrones. Por esa razón, los circuitos que utilizaban válvulas de
vacío requerían un tiempo para que las válvulas se calentaran antes de poder
funcionar y las válvulas se quemaban con mucha facilidad.
Polarización directa de un diodo
Para que un diodo esté polarizado directamente, se
debe conectar el polo positivo de la batería al ánodo del diodo y el polo
negativo al cátodo. En estas condiciones podemos observar que:
·
El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n,
con lo que estos electrones se dirigen hacia la unión p-n.
·
El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del
cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unión
p-n.
·
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor
que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones
libres del cristal n, adquieren la energía suficiente para saltar a los huecos
del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unión p-n.
·
Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la
zona de carga espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la zona p
convirtiéndose en electrón de valencia. Una vez ocurrido esto el electrón es
atraído por el polo positivo de la batería y se desplaza de átomo en átomo
hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo
conductor y llega hasta la batería.
De este modo, con la batería cediendo electrones
libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a
través del diodo una corriente eléctrica constante hasta el final.
Polarización inversa de un diodo
En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el
polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la
tensión en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensión de la
batería, tal y como se explica a continuación:
·
El
polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos trivalentes de
la zona p. Recordemos que estos átomos sólo tienen 3 electrones de valencia,
con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los átomos de
silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrón que
falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones
libres cedidos por la batería entran en la zona p, caen dentro de estos huecos
con lo que los átomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su
orbital de valencia) y una carga eléctrica neta de -1, convirtiéndose así en
iones negativos.
·
Este
proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere
el mismo potencial eléctrico que la batería.
En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo,
debido al efecto de la temperatura se formarán pares electrón-hueco
(ver semiconductor) a ambos lados de la unión produciendo una pequeña
corriente (del orden de 1 μA) denominada corriente
inversa de saturación. Además, existe también una denominada corriente superficial de fugas la
cual, como su propio nombre indica, conduce una pequeña corriente por la
superficie del diodo; ya que en la superficie, los átomos de silicio no están
rodeados de suficientes átomos para realizar los cuatro enlaces covalentes
necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los átomos de la superficie
del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de
valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a través de ellos.
No obstante, al igual que la corriente inversa de saturación, la corriente
superficial de fuga es despreciable.
No hay comentarios:
Publicar un comentario