Transistor
El transistor es
un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para producir una
señal de salida en respuesta a otra señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la contracción en
inglés de transfer
resistor («resistencia de
transferencia»). Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y vídeo, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, entre otros.
Tipos
Transistor de contacto puntual
Llamado también «transistor
de punta de contacto», fue el primer transistor capaz de obtener ganancia,
inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la
combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas
metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es
capaz de modular la resistencia que se «ve» en el colector, de ahí el nombre de transfer
resistor. Se basa en
efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las
puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y
ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W. Shockley, 1948)
debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.
Transistor de unión bipolar
El transistor de unión bipolar (o BJT,
por sus siglas del inglés Bipolar
Junction Transistor) se fabrica básicamente sobre un mono cristal de
Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de
semiconductores, estado intermedio entre conductores como
los metales y los aislantes como el diamante.
Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas,
dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones
NP.
La
zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de
aceptadores o «huecos» (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos
aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo(P).
La
configuración de uniones PN,
dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre
corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al
colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen
diferente contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está mucho más
contaminado que el colector).
El
mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas
contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de
contaminación (difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico
de la unión.
Funcionamiento
El
transistor consta de un sustrato (usualmente silicio)
y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales específicos
en cantidades específicas) que forman dos uniones bipolares, el emisor que
emite portadores,
el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre
las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de
las válvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del
que se obtiene corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los
transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos. Su
funcionamiento sólo puede explicarse mediante mecánica cuántica.
De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función amplificada de la que se
inyecta en el emisor, pero
el transistor sólo gradúa la corriente que circula a través de sí mismo, si
desde una fuente de corriente continua se alimenta la base para que circule la carga por el colector, según el tipo de
circuito que se utilice. El factor de amplificación o ganancia logrado entre
corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor.
Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de
transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de
Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y
varias tablas donde se grafican los distintos parámetros tales como corriente
de base, tensión Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor,
etc. Los tres tipos de esquemas(configuraciones) básicos para utilización
analógica de los transistores son emisor común, colector común y base común.
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